其独特的结构提供了必要的
Posted: Sun Dec 22, 2024 9:26 am
耐用性和承受高能暴露而不退化的能力，确保光掩模的完整性在芯片制造过程中保持完整。碳纳米管颗粒的持续发展预计将在 EUV 光刻技术的进步中发挥关键作用。
极紫外光刻 (EUV)最新消息
英特尔从 ASML 收购高级 EUV 扫描仪
英特尔最近从 ASML 购买了第一台高数值孔径 EUV 光刻扫描仪，称为 Twinscan EXE:5000。该工具旨在生产采用 3nm 规模以上工艺技术的芯片，业界计划在 2025 年至 2026 年左右采用该技术。
高数值孔径 EUV 技术采用 0.55 数值孔径透镜，可实现 8 纳米分 波兰电话号码 辨率，比现有 EUV 仪器当前提供的 13 纳米分辨率有所提高。这一进步意味着芯片制造商可以在 EUV 中使用双重图案化，从而简化制造工艺，同时提高产量并降低成本。
英特尔计划于 2024 年开始使用这些用于未来工艺节点的高级 NA 工具来开发其 18A 节点（1.8 纳米级）。早期采用高级 NA 工具可以使英特尔在制定高级 NA 制造行业标准方面具有竞争优势（Anandtech，2024）。
此外，ASML还宣布，到2027年至2028年，将能够每年生产20个先进的NA EUV光刻工具，这表明其他行业合作伙伴正准备在未来几年采用这些先进的系统，其中英特尔处于领先地位。 2024 年大多数 ASML 机器（雅虎新闻，2023 年）。
$10B 包括用于极紫外光刻中心开发
在纽约，州长 Kathy Hochul 宣布在奥尔巴尼纳米技术综合体创建国家 EUV 中心，这是 IBM 与纽约州以及其他行业和学术合作伙伴之间的合作。
该中心将成为北美第一个拥有 EUV 高 NA 系统的公有研发中心，位于一栋名为 NanoFab Reflection 的新建筑中。纽约州及其合作伙伴为此投资了 100 亿美元，旨在推动美国的半导体研究和生产并创造大量就业机会。
奥尔巴尼纳米技术公司的高 NA EUV 系统将类似于未来制造设施中使用的高 NA EUV 工具，确保在那里开发的工艺和设计可以转移到未来的电子设备（IBM 研究博客，2024）。
与此同时，imec 和三井化学宣布建立战略合作伙伴关系，将下一代 EUV 光刻系统的关键组件商业化。他们专注于由碳纳米管 (CNT) 制成的 EUV 颗粒，这种颗粒以其强大的机械和热性能而闻名。
极紫外光刻 (EUV)最新消息
英特尔从 ASML 收购高级 EUV 扫描仪
英特尔最近从 ASML 购买了第一台高数值孔径 EUV 光刻扫描仪，称为 Twinscan EXE:5000。该工具旨在生产采用 3nm 规模以上工艺技术的芯片，业界计划在 2025 年至 2026 年左右采用该技术。
高数值孔径 EUV 技术采用 0.55 数值孔径透镜，可实现 8 纳米分 波兰电话号码 辨率，比现有 EUV 仪器当前提供的 13 纳米分辨率有所提高。这一进步意味着芯片制造商可以在 EUV 中使用双重图案化，从而简化制造工艺，同时提高产量并降低成本。
英特尔计划于 2024 年开始使用这些用于未来工艺节点的高级 NA 工具来开发其 18A 节点（1.8 纳米级）。早期采用高级 NA 工具可以使英特尔在制定高级 NA 制造行业标准方面具有竞争优势（Anandtech，2024）。
此外，ASML还宣布，到2027年至2028年，将能够每年生产20个先进的NA EUV光刻工具，这表明其他行业合作伙伴正准备在未来几年采用这些先进的系统，其中英特尔处于领先地位。 2024 年大多数 ASML 机器（雅虎新闻，2023 年）。
$10B 包括用于极紫外光刻中心开发
在纽约，州长 Kathy Hochul 宣布在奥尔巴尼纳米技术综合体创建国家 EUV 中心，这是 IBM 与纽约州以及其他行业和学术合作伙伴之间的合作。
该中心将成为北美第一个拥有 EUV 高 NA 系统的公有研发中心，位于一栋名为 NanoFab Reflection 的新建筑中。纽约州及其合作伙伴为此投资了 100 亿美元，旨在推动美国的半导体研究和生产并创造大量就业机会。
奥尔巴尼纳米技术公司的高 NA EUV 系统将类似于未来制造设施中使用的高 NA EUV 工具，确保在那里开发的工艺和设计可以转移到未来的电子设备（IBM 研究博客，2024）。
与此同时，imec 和三井化学宣布建立战略合作伙伴关系，将下一代 EUV 光刻系统的关键组件商业化。他们专注于由碳纳米管 (CNT) 制成的 EUV 颗粒，这种颗粒以其强大的机械和热性能而闻名。